行业背景

    LED( Light Emitting Diode，发光二极管)是由半导体材料所制成发光组件，由于其发光效率高、耗电量少、使用寿命长、安全可靠性强、环保。因而广泛应用于：显示屏、交通讯号显示光源、汽车工业、LCD背光源显示、LED照明光源等。经历了多年的发展, 我国LED产业已从购买芯片、外延片生产应用产品。逐步发展成从外延片生产、芯片制备到器件封装、集成应用等比较完整的产业链。近十年我国LED产业市场规模增长迅速, 平均每年增长均在10%以上。根据相关数据，2014年我国LED产业规模为3,507亿元，同比增长36%，预计今后持续为高增长态势。。

面临挑战

    LED产业所带来庞大市场机遇的同时，众多企业进入该行业，出现竞争无序、产品质量参差不齐、原标准存弊端、同质化严重，创新不足。在国家大范围鼓励“万众创新”前提下，众多行业内企业均调整企业战略转向产品精细化、优质化，来提升企业产品竞争力和附加价值。第三代半导体材料相比第一代、第二代半导体材料，具有很多重要的优点。例如:禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度快、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等。这些优良的性能使其在光电器件、大功率高温电子器件等方面备受青睐，非常符合企业提升产品品质的战略方向。常见的第三代半导体材料有GaN、SiC、AlN、ZnSe、C2BN、CdS、ZnS、ZnO和金刚石等。其中在LED产业中比较有代表性的是GaN、SiC、ZnO和金刚石，其禁带宽度(Eg>2.3eV)。第三代半导体材料可通过调整不同基元组分，其带隙可实现红外到紫外光谱区域连续可调，匹配全光谱的应用。因此，如何来确定其关键参数禁带宽度以及对不同光谱波段的吸收系数尤为重要。

解决方案

    ME-L系列穆勒椭偏仪/SE-L系列光谱椭偏仪根据测量到椭偏参数（Ψ ：振幅比，△：相位差），配合内置数百个光学模型进行拟合测得第三代半导体材料禁带宽度、吸收系数、厚膜等重要参数。

1.建立光学模型

2.建立光学模型

客户价值

通过ME-L/SE-L系列椭偏仪可用于半导体材料的的各向同/异性重要参数的表征。根据测量其关键参数，确保材料以及产品的品质。在新一代的半导体材料的应用中给企业带来价值最大化。

关联产品与配置

ME-L穆勒矩阵椭偏仪