ECV-90 单晶少子寿命测试仪

1. 电阻率测量范围：大于2Ω·cm

2.寿命测试范围：5到7000μSμs；

3. 测量重复性误差≤±20%

4.光脉冲发生装置

重复频率＞20-30次/s，光脉冲关断时间：0.2-1μs，余辉＜1μs

5.红外光源波长： 1.09μm（测量硅单晶）。

6.脉冲电源：5A-20A

7.高频源:高频振荡源：石英谐振器；频率：30MHz；低输出阻抗，输出功率＞1W

8. 放大器和检波器

放大倍数约25倍，频宽：2Hz-2MHz

9．可测单晶尺寸：断面竖测：直径25-150，厚度2mm-500mm。

                            纵向卧测：直径5mm-150mm，长度50mm-800mm。

10、配用示波器

（1）频宽0—40MHz；
（2）电压灵敏：10mV/cm；

11.体积：460mm×320mm×100mm；重量：20KG。